Definition af acceptorniveau
Når acceptor urenheder er dopet i rene halvledermaterialer, migration af valens elektroner vil danne positivt ladede huller og negativt ladede centre. På grund af elektrostatisk tiltrækning vil huller være svagt bundet af de negativt ladede centre for at danne bundne tilstande. Bevæger sig rundt, efter at hullerne får energi, vil de være fri for binding til at danne ledende huller. Energitilstanden af huller bundet af acceptor urenheder kaldes acceptor energi niveau.